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Un micro-onduleur embarquant des transistors GaN aux performances prometteuses

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Le CEA à l’INES a réalisé un 1er prototype de micro-onduleur photovoltaïque de 400W constitué de transistors GaN réalisés par les laboratoires CEA du

Interference effects in GaN high electron mobility transistor power amplifier induced by microwave pulses

Des cellules photovoltaïques hétérojonction ultra-fines pour le spatial

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Micro-Onduleur QT2 2000VA Triphasé - APSystems

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